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晶体管
STGB3NC120HDT4参考图片

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STGB3NC120HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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库存:5,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.894
26.894
10
¥22.826
228.26
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
1,000
¥14.2154
14215.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
系列
STGB3NC120HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB3NC120HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:5616
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enh FET 500mA 350Vcbo 350Vceo
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:4916
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:7535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General-purpose bipolar transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:6817
晶体管
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:10731
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