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晶体管
STGB3NC120HDT4参考图片

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STGB3NC120HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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数量单价合计
1
¥26.894
26.894
10
¥22.826
228.26
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
1,000
¥14.2154
14215.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
系列
STGB3NC120HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB3NC120HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 600V/30A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46457
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:46460
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,155.9787
参考库存:46463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:46466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:46469
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