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晶体管
HN1B01FU-GR,LF参考图片

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HN1B01FU-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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库存：7,974(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.7854
17.854
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.50737
507.37
3,000
¥0.3842
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
150 MHz, 120 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1B01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，HN1B01FU-GR,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR554PT100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1.5A Transistor
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
2,000:¥1.5255
参考库存:6061
BCR 555 E6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:21667
FDMA6676PZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8PZ 30/25V VIS W/ 2X2
1:¥6.1472
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.2261
参考库存:16860
JANTX2N2369AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥270.3186
5:¥256.8038
10:¥250.0351
25:¥229.8307
参考库存:2961
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:243067
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