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晶体管
SI7850DP-T1-E3参考图片

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SI7850DP-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:43,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.8367
1083.67
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥8.2264
8226.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10.3 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7850DP-E3
商品其它信息
优势价格,SI7850DP-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35370
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:3641
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:3276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V -0.15A 0.2W SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:11562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:11764
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