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晶体管
DMN2041LSD-13参考图片

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DMN2041LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
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库存:5,616(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
2,500
¥1.2317
3079.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.63 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
15.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.16 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2041
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.1 ns
典型接通延迟时间
4.69 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2041LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
1:¥4.5313
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.6385
参考库存:14179
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:6284
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:4143
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:7204
晶体管
MOSFET 200V 57A 300W
1:¥36.1148
10:¥29.8885
100:¥24.5888
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:4043
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