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晶体管
ZXTN2018FTA参考图片

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ZXTN2018FTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transistor
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数量单价合计
1
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5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
3,000
¥2.5764
7729.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
45 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2018
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
1560 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN2018FTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:31828
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:10300
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:3717
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:29289
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 800V, 3A
1:¥10.3734
10:¥9.2208
100:¥7.2659
500:¥5.6387
参考库存:4213
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