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晶体管
STGE200NB60S参考图片

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STGE200NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
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库存:4,370(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥214.7678
214.7678
5
¥212.5417
1062.7085
10
¥198.089
1980.89
25
¥189.2524
4731.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.1 mm
长度
38.2 mm
系列
STGE200NB60S
宽度
25.5 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格,STGE200NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
5,000:¥2.2148
10,000:¥2.1809
25,000:¥2.1244
参考库存:27812
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
10,000:¥2.0001
参考库存:27815
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:27818
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8476
10,000:¥2.7346
25,000:¥2.6555
参考库存:6494
晶体管
MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
5,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:27823
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