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晶体管
STGE200NB60S参考图片

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STGE200NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
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数量单价合计
1
¥214.7678
214.7678
5
¥212.5417
1062.7085
10
¥198.089
1980.89
25
¥189.2524
4731.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.1 mm
长度
38.2 mm
系列
STGE200NB60S
宽度
25.5 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格，STGE200NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25LWF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-25LW/SOT323/SC-70
10,000:¥0.18419
30,000:¥0.1695
50,000:¥0.14577
100,000:¥0.12317
参考库存:16497
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:4800
DMN3053L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
10,000:¥0.71416
参考库存:16502
FDMC510P-F106
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:5297
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥19.8993
参考库存:16507
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