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晶体管
SH8KA2GZETB参考图片

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SH8KA2GZETB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
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库存:5,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9551
595.51
500
¥5.2658
2632.9
1,000
¥4.1471
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.2 S, 4.2 S
下降时间
5.7 ns, 5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns, 8.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns, 7.4 ns
零件号别名
SH8KA2
商品其它信息
优势价格,SH8KA2GZETB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:4133
晶体管
IGBT 晶体管 15A 600V IGBT
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
参考库存:3735
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
5,000:¥5.0059
参考库存:13124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:6119
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.73789
24,000:查看
参考库存:11101
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