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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TDSON-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	95 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	139 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	OptiMOS
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.27 mm
长度	5.9 mm
系列	OptiMOS 5
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	5.15 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	140 S
开发套件	EVAL-600W-12V-LLC-A, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL
下降时间	9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	12 ns
工厂包装数量	5000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	46 ns
典型接通延迟时间	10 ns
零件号别名	BSC010N04LSATMA1 SP000928282
单位重量	100 mg

商品其它信息

优势价格，BSC010N04LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4451DY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V	1:¥21.8994 10:¥18.2156 100:¥14.1363 500:¥12.3735 2,500:¥9.5259 5,000:查看	参考库存:15601
UMG4N-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 150mW 100mA	3,000:¥1.00683	参考库存:15604
APT6038SLLG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS7	1:¥119.5653 5:¥114.8758 10:¥110.5705 25:¥101.587	参考库存:15607
IF4511	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Ch -20Vgss -0.35V 10mA 300mW 1.8mW	72:¥99.0445 100:¥91.1345 250:¥83.0663 500:¥77.6875	参考库存:15610
DMP213DUFA-7B	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss	10,000:¥0.43053 20,000:¥0.4068	参考库存:15613