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晶体管
STS8C5H30L参考图片

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STS8C5H30L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.7913
3395.65
2,500
¥5.2432
13108
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.4 A, 8 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 12.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W, 2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
5 mm
系列
STS8C5H30L
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8.5 S, 10 S
下降时间
8 ns, 35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.5 ns, 35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 125 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 25 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，STS8C5H30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM6968DCA
Taiwan Semiconductor
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MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
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24,000:¥1.7854
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PD85035STR-E
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1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
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CMPT591E TR
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9,000:¥0.69156
24,000:¥0.65314
45,000:¥0.58421
99,000:¥0.56048
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2N4856
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100:¥378.5161
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5,000:¥4.4748
10,000:¥4.3053
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