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晶体管
IKD15N60RATMA1参考图片

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IKD15N60RATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
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数量单价合计
1
¥16.2155
16.2155
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
2,500
¥7.458
18645
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD15N60R SP000964632
单位重量
334 mg
商品其它信息
优势价格,IKD15N60RATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
3,000:¥2.6894
参考库存:7555
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
1:¥1.2317
10:¥1.13
100:¥0.40002
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:370675
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1189
800:¥4.0454
参考库存:7905
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:7326
晶体管
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:206835
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