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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	148 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GT60JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRLI520NPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv	1:¥7.3789 10:¥6.3506 100:¥4.8816 500:¥4.3053 1,000:¥3.4013	参考库存:4678
IRFI4227PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC	1:¥20.7468 10:¥17.5941 100:¥14.0572 500:¥12.2944 1,000:¥10.2152	参考库存:4721
STB46NF30	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package	1:¥30.2727 10:¥25.7414 100:¥22.2836 250:¥21.131 1,000:¥15.9782 2,000:查看	参考库存:5585
STU85N3LH5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 30V	1:¥10.5316 10:¥8.9948 100:¥6.9495 500:¥6.1359	参考库存:19918
ULN2803A	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Eight NPN Array	1:¥9.1417 10:¥7.8422 100:¥5.989 500:¥5.2884	参考库存:36260