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晶体管
STD10P10F6参考图片

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STD10P10F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD10P10F6
晶体管类型
1 P-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STD10P10F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
4,000:¥4.3279
参考库存:7549
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
700:¥2.5764
2,100:¥2.1809
参考库存:6595
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5435
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
4,000:¥4.1584
8,000:查看
参考库存:8780
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:8501
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