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晶体管
IKFW90N60EH3XKSA1参考图片

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IKFW90N60EH3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 90 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.
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库存:1,780(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥81.8346
81.8346
10
¥73.9246
739.246
25
¥70.5346
1763.365
100
¥61.246
6124.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
77 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
77 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKFW90N60EH3 SP001502666
商品其它信息
优势价格,IKFW90N60EH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-723 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
32,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:34268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:34792
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500 45V
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:159361
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:3544
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:2515
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