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晶体管
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TIP41C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.068
40.68
100
¥2.6216
262.16
1,000
¥2.1018
2101.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
6 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP41C
直流电流增益 hFE 最大值
75
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TIP41C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.41471
24,000:¥0.4068
参考库存:40216
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥110.6496
250:¥100.8864
500:¥94.4341
1,000:¥86.6032
参考库存:40219
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:40222
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:40225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥730.9066
参考库存:40228
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