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晶体管
CSD18531Q5A参考图片

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CSD18531Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
DRV8711EVM
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18531Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 45V
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:11636
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 4.7KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4779
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 2A
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:2712
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4184
500:¥5.6726
1,000:¥4.4748
2,500:¥4.4748
参考库存:3258
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:2366
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