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晶体管

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FCAB21350L1

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.379
937.9
500
¥7.2433
3621.65
1,000
¥5.5596
5559.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
12 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW, 2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
FCAB
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Panasonic
下降时间
5 us
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 us
典型接通延迟时间
1.2 us
商品其它信息
优势价格,FCAB21350L1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.6329
参考库存:6375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:18131
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:6082
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:6152
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