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晶体管
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V12250HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP610DL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.6159
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
参考库存:13184
TK12A50E,S4X(S
Toshiba
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N CH 250V
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:18396
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:18399
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:14202
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6704
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