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晶体管
HGTG10N120BND参考图片

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HGTG10N120BND

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库存:1,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.5944
235.944
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.436
4859
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG10N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG10N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG10N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
5,000:¥5.3901
10,000:查看
参考库存:8815
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:33768
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6162
参考库存:4788
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1585
5,000:查看
参考库存:6321
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4208
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