| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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50:¥337.3276 100:¥291.766 250:¥274.2397
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参考库存:3707
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥823.8039
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参考库存:17155
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
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1:¥218.2256 10:¥209.8523
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参考库存:3694
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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1:¥1,020.277 5:¥1,000.5359 10:¥967.4947 25:¥926.5322 150:¥830.7986
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参考库存:3709
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射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
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10:¥3,251.0213
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参考库存:17148
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1:¥2.9154 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631 9,000:¥0.72998
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参考库存:21081
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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暂无价格
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参考库存:17143
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暂无价格
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参考库存:17140
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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1:¥191.4898 5:¥183.0374 10:¥176.6529 25:¥154.1433 500:¥132.9332
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参考库存:17137
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射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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1:¥4.3053 10:¥3.5256 100:¥2.147 1,000:¥1.6724 3,000:¥1.4238
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参考库存:11619
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB
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10:¥874.055 30:¥774.163 50:¥699.244 100:¥674.271
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参考库存:17132
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥329.3385
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参考库存:17129
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
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暂无价格
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参考库存:17126
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:17123
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1:¥3,957.26 10:¥3,780.528
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参考库存:17120
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射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
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10:¥2,890.2575
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参考库存:17117
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射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
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1:¥7.6049 10:¥6.4523 100:¥4.9607 500:¥4.3844 1,000:¥3.4578
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参考库存:9516
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:17112
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
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50:¥691.0967 100:¥685.4128
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参考库存:17109
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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1:¥445.672 25:¥391.884 100:¥345.78 250:¥315.044
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参考库存:4034
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