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射频晶体管
BFU660F,115参考图片

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BFU660F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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库存:11,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5256
35.256
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
30 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
21 GHz
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064611115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
优势价格,BFU660F,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:12369
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3608
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:16889
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:8389
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
250:¥508.3757
参考库存:16894
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