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射频晶体管
MRF8P9040GNR1参考图片

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MRF8P9040GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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数量单价合计
1
¥191.4898
191.4898
5
¥183.0374
915.187
10
¥176.6529
1766.529
25
¥154.1433
3853.5825
500
¥132.9332
66466.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.1 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.7 GHz to 1 GHz
系列
MRF8P9040N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935321848528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格，MRF8P9040GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 640F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:6471
0912-45
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥1,284.5388
2:¥1,253.6446
5:¥1,235.2821
10:¥1,217.7558
参考库存:16974
PTFB192503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:16977
D2294UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
50:¥544.1854
100:¥529.2016
参考库存:16980
2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥45.7989
10:¥36.8041
100:¥33.5836
250:¥30.2727
1,000:¥22.8938
参考库存:4294
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