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射频晶体管
2SC5551AF-TD-E参考图片

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2SC5551AF-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5551A
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
300 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PCP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
51.150 mg
商品其它信息
优势价格，2SC5551AF-TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2933
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
50:¥273.2453
100:¥241.5036
250:¥226.1356
参考库存:16654
AFT20P060-4NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:16657
MMRF1020-04NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:16660
AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥283.4605
参考库存:16663
MRFE8VP8600HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
50:¥1,064.3131
参考库存:16666
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