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无线和射频半导体
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HMC-ALH102

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 2 - 20 GHz
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数量单价合计
25
¥441.6718
11041.795
100
¥409.3312
40933.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
20 GHz
P1dB - 压缩点
10 dBm
增益
11.6 dB
工作电源电压
2 V
NF—噪声系数
2.5 dB
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH102G
封装
Gel Pack
频率范围
2 GHz to 20 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
25
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
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