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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	48 dBm
工作电源电流	485 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX2371ETC+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 LNAs w/Step Attenuator & VGA	1:¥31.2784 10:¥29.5043 25:¥23.5944 50:¥22.4418 2,500:¥15.0629	参考库存:42612
MAAP-011139-DIE	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 29-31GHz 4Watt Gain 24dB GaAs	25:¥527.5857 50:¥488.4764 100:¥456.5087	参考库存:2664
AD8432ACPZ-WP	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Dual-CH Ultra Low Noise	1:¥26.894 10:¥23.9786 25:¥21.5943 50:¥20.5886	参考库存:2639
AT0603C09ECATB	American Technical Ceramics (ATC)	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 9db 1W 0603 DC to 20GHz	1:¥69.5402 10:¥63.6981 25:¥57.9351 50:¥54.9406 500:¥43.4146	参考库存:3117
AGR09045EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥507.144 10:¥422.62 25:¥380.358 50:¥338.096	参考库存:41073