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无线和射频半导体
HMC8411LP2FE参考图片

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HMC8411LP2FE

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 DC- 8 GHz 15 dB Gain
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库存:3,225(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥420.699
420.699
5
¥408.0204
2040.102
10
¥395.2627
3952.627
25
¥382.505
9562.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFCSP-6
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点
17 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
2 dB
测试频率
6 GHz to 10 GHz
OIP3 - 三阶截点
33 dBm
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC8411
封装
Cut Tape
产品
Operational Amplifiers
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
1.098 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC8411LP2FE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 1.2pF max @ 20Volts .5 ohm max @ 10mA
1:¥15.5262
10:¥13.9894
25:¥12.6786
100:¥11.2209
3,000:¥7.1303
参考库存:6735
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC 4 BLE CY8C41x
1:¥46.2622
10:¥41.3354
25:¥37.1883
100:¥33.8887
参考库存:2232
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥24.2046
10:¥21.8203
100:¥17.8992
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:2107
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC auto qual BLE
1:¥48.9516
10:¥44.183
25:¥40.9512
100:¥36.5781
250:¥34.7362
参考库存:2091
无线和射频半导体
衰减器 6 Bit 0.5 LSB dig atten
1:¥56.3192
10:¥50.9404
50:¥48.5674
100:¥42.1829
参考库存:2546
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