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无线和射频半导体
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D2012UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥579.2945
579.2945
10
¥511.5284
5115.284
25
¥453.9662
11349.155
50
¥406.5627
20328.135
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2012UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:6690
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 22dB NF 2.5dB GaAs
1:¥223.2993
25:¥210.3156
100:¥198.8574
250:¥187.4896
参考库存:3912
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
1:¥2,755.7084
5:¥2,713.3786
10:¥2,673.0376
25:¥2,615.3285
50:¥2,575.1344
参考库存:3865
AVX
无线和射频半导体
衰减器 150watts 20dB 1% CHIP DC-3GHZ
1:¥95.2816
10:¥93.6657
20:¥89.2135
50:¥87.5976
参考库存:3835
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 GNSS Low Noise Amp GaAs MMIC
1:¥11.2209
10:¥10.1474
25:¥9.379
50:¥8.4524
3,000:¥4.8138
参考库存:7314
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