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分立半导体
IPD35N10S3L26ATMA1参考图片

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IPD35N10S3L26ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5879
65.879
100
¥5.0624
506.24
500
¥4.4748
2237.4
2,500
¥3.1301
7825.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD35N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD35N10S3L-26 IPD35N1S3L26XT SP000386184
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD35N10S3L26ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-22RIA20
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR 200 Volt 22 Amp
1:¥98.197
10:¥89.2926
20:¥82.603
50:¥78.1508
参考库存:2260
FQD6N25TM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥5.6048
10:¥4.5991
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.0001
参考库存:6889
FDA28N50F
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V 28A N-Channel
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
参考库存:2483
MPS3704
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
参考库存:6124
STF3N62K3
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:3797
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