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分立半导体
STH3N150-2参考图片

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STH3N150-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
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32.657
10
¥27.7415
277.415
100
¥24.0464
2404.64
250
¥22.826
5706.5
1,000
¥17.289
17289
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerMESH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH3N150-2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.6 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH3N150-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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