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分立半导体
TTA004B,Q参考图片

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TTA004B,Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126N-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 160 V
集电极—基极电压 VCBO
- 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 1.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTA004B
直流电流增益 hFE 最大值
280
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
单位重量
4.700 g
商品其它信息
优势价格，TTA004B,Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF5305PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:16750
VS-EPH3006-N3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 30A 600V 27ns Hyperfast
1:¥46.5673
10:¥38.5782
100:¥31.8095
250:¥30.8151
500:¥27.6624
参考库存:4204
SI4423DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:11176
STD3NK80ZT4
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
2,500:¥4.294
10,000:查看
参考库存:7655
IRF7450TRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
4,000:¥5.4353
参考库存:7814
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