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分立半导体
TTA004B,Q参考图片

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TTA004B,Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126N-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 160 V
集电极—基极电压 VCBO
- 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 1.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTA004B
直流电流增益 hFE 最大值
280
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
单位重量
4.700 g
商品其它信息
优势价格，TTA004B,Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ0901NSI
Infineon Technologies
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1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
5,000:¥3.7064
10,000:查看
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SUM110P06-07L-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
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1:¥28.3517
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100:¥19.3682
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800:¥18.7467
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RB060L-40TE25
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1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
1,500:¥1.1865
参考库存:4214
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
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RN1413(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:10161
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