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分立半导体
MRFE6VP6300HR3参考图片

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MRFE6VP6300HR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
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数量单价合计
1
¥812.0406
812.0406
5
¥796.2884
3981.442
10
¥770.0159
7700.159
25
¥737.438
18435.95
250
¥661.2082
165302.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935317343128
单位重量
6.396 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SO-8
1:¥8.6106
10:¥7.3224
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
2,500:¥3.9211
参考库存:3831
分立半导体
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥29.7416
10:¥25.2781
100:¥21.8994
250:¥20.7468
参考库存:4013
分立半导体
稳压二极管 20V 3W
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
2,500:¥0.9831
6,000:¥0.92208
参考库存:22324
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 30 Volt
1:¥16.2155
10:¥13.7521
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:3947
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
2,000:¥0.87575
参考库存:48270
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