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分立半导体
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MRFE6VP6300HR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
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数量单价合计
1
¥812.0406
812.0406
5
¥796.2884
3981.442
10
¥770.0159
7700.159
25
¥737.438
18435.95
250
¥661.2082
165302.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935317343128
单位重量
6.396 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N6342
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥91.2136
250:¥83.1454
500:¥77.7666
1,000:¥71.3821
参考库存:49351
JAN1N4960D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥134.3909
250:¥122.5598
500:¥114.6498
参考库存:49354
JANTXV1N5420US
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
100:¥192.4842
250:¥176.6529
500:¥168.1214
参考库存:49357
JANTXV1N5551/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
160:¥90.1288
250:¥82.2188
500:¥76.9191
1,000:¥70.5346
参考库存:49360
JAN1N4579A-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥233.7518
200:¥214.5418
参考库存:49363
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