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分立半导体
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TN0110N3-G

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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥6.78
67.8
25
¥5.7065
142.6625
100
¥5.1415
514.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
225 mS
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN0110N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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30,000:¥0.20001
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800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:34000
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参考库存:34003
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3,000:¥0.29945
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
参考库存:34006
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
7,000:¥1.2769
10,000:¥1.1865
25,000:¥1.13
50,000:¥1.09836
参考库存:34009
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