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分立半导体
IPI120N04S3-02参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPI120N04S3-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T
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库存:35,777(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.8256
7412.8
1,000
¥12.5204
12520.4
2,500
¥11.9102
29775.5
5,000
¥11.4469
57234.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPI120N04S302AKSA1 IPI12N4S32XK SP000261225
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI120N04S3-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
1:¥16.1364
10:¥13.7521
100:¥10.9836
500:¥9.605
1,500:¥7.4354
4,500:查看
参考库存:3537
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 1A 60V
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥1.05316
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:7979
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3136
分立半导体
整流器 Ultra Fast 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:6843
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7253
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