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分立半导体
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STL86N3LLH6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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库存：4,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
3,000
¥5.7065
17119.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6.6 mm
产品
Power MOSFET
系列
STL86N3LLH6AG
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H6
宽度
5.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
商品其它信息
优势价格，STL86N3LLH6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TFZGTR5.1B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 5.07V 3% 500mW
3,000:¥0.51528
9,000:¥0.46104
24,000:¥0.43053
45,000:¥0.3842
99,000:¥0.36838
参考库存:35505
MMBZ5250B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 SOT23 Zener 300mW 20V
18,000:¥0.23843
参考库存:35508
2N3763
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥198.5523
250:¥182.4159
500:¥168.0536
参考库存:35511
GBPC5010
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 50 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM
200:¥21.2892
参考库存:35514
IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥7.0625
5,000:¥6.8026
10,000:¥6.5314
参考库存:35517
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