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分立半导体
STP45N60DM2AG参考图片

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STP45N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥32.883
328.83
100
¥28.5099
2850.99
250
¥27.0522
6763.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP45N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP45N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.96841
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4,000:¥0.26894
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1,000:¥0.40002
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1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥1.03734
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:24837
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