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分立半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57006S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 800V 40A Std. Recovery
1:¥89.5977
10:¥80.6029
25:¥73.4613
100:¥66.3084
参考库存:4220
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
1:¥712.2277
5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
参考库存:4055
分立半导体
桥式整流器 12 Amp 50 Volt
1:¥33.8096
10:¥28.0466
100:¥23.052
200:¥22.3627
参考库存:4258
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2.0 Amp 90 Volt 50 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥3.2318
25:¥2.8363
100:¥2.4295
1,800:¥1.2204
3,600:查看
参考库存:6948
分立半导体
整流器 200V 12A REV Leads Std. Recovery
1:¥49.8669
10:¥44.7932
25:¥40.8043
100:¥36.8832
参考库存:4204
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