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分立半导体
BSS126H6327XTSA2参考图片

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BSS126H6327XTSA2

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库存:16,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS126
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS126 BSS126H6327XT H6327 SP000919334
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS126H6327XTSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:9989
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.198
1,000:¥4.1019
参考库存:5536
分立半导体
桥式整流器 12A Bridge Rectifier
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:4739
分立半导体
肖特基二极管与整流器 400MW 40V
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:8366
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:17297
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