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分立半导体
STP7N65M2参考图片

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STP7N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP7N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP7N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKL41/12
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 45 Amp 890 Amp IFSM
1:¥317.2701
5:¥308.8177
10:¥296.9075
25:¥274.5448
参考库存:23303
SD57045-01
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:1216
VS-MBR2035CT-1-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1:¥12.3735
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.6896
参考库存:23308
VS-VSKT26/10
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1000 Volt 27 Amp 420 Amp IFSM
1:¥310.5918
5:¥302.3654
10:¥290.6134
25:¥268.7818
参考库存:23311
VS-16CTQ060STRRHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥12.6786
10:¥10.5316
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:23314
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