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分立半导体
NVMFS4C03NT1G参考图片

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NVMFS4C03NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2715
62.715
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.2601
2130.05
1,500
¥2.9832
4474.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
159 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
77 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
136 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
107.200 mg
商品其它信息
优势价格,NVMFS4C03NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥0.66896
30,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:25029
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