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分立半导体
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BFU550XAR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:61,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.356
1356
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067708215
单位重量
8.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFU550XAR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.684
3,000:¥5.9664
6,000:查看
参考库存:6342
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W
1:¥3.1527
10:¥2.1357
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
参考库存:20883
分立半导体
MOSFET 20V 8.0A 3.5W
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:6571
分立半导体
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:19372
分立半导体
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:11762
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