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分立半导体
SQD07N25-350H_GE3参考图片

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SQD07N25-350H_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
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库存：7,429(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.605
96.05
100
¥7.3337
733.37
500
¥6.3054
3152.7
2,000
¥4.6443
9288.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SQD07N25-350H_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5551
Microsemi
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥114.7967
10:¥104.3442
25:¥96.5133
50:¥91.2814
参考库存:29007
TZ800N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1500A SINGLE
1:¥2,739.572
5:¥2,673.6478
10:¥2,607.2603
25:¥2,570.6822
参考库存:29010
UES1303
Microsemi
分立半导体
整流器 Diode Gen Purpose 150V 6A Axial
1:¥248.6565
5:¥237.5147
10:¥230.0567
25:¥211.3891
参考库存:6972
682-4
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge
1:¥2,295.595
2:¥2,240.3493
5:¥2,207.5341
10:¥2,176.3348
参考库存:29015
680-1
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥1,278.9227
2:¥1,248.1867
5:¥1,229.9033
10:¥1,212.5352
参考库存:29018
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