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分立半导体
CSD18513Q5A参考图片

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CSD18513Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:4,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
8333.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18513Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18513Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:6113
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70 Volt 200mA Dual Common Cathode
1:¥3.5369
10:¥2.0001
100:¥1.06785
500:¥0.86106
10,000:¥0.44522
20,000:查看
参考库存:3082
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:1701
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
2,500:¥5.5596
参考库存:21206
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.5369
10:¥2.9493
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:5486
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