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分立半导体
MMRF5017HS-1GHZ参考图片

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MMRF5017HS-1GHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
工作频率
30 MHz to 2200 MHz
系列
MMRF5017HS
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
154 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935371361598
商品其它信息
优势价格，MMRF5017HS-1GHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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