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射频晶体管
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MRF8P8300HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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数量单价合计
150
¥1,073.6808
161052.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
20.9 dB
输出功率
96 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.79 GHz to 0.82 GHz
系列
MRF8P8300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935314412128
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格，MRF8P8300HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF422
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4484
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