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射频晶体管
HFA3127BZ参考图片

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HFA3127BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
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数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
25
¥63.7772
1594.43
100
¥55.3248
5532.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
48
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3127BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2082UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:17592
D2230UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
100:¥251.9561
250:¥247.6508
参考库存:17595
WRL-15216
SparkFun
射频晶体管
射频开发工具 Digi XBee3 Module Dev Kit, 2.4 Ghz ZB 3.0
暂无价格
参考库存:17598
PD54008TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
参考库存:17601
AFV141KGSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
50:¥3,786.4492
参考库存:17604
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