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射频晶体管
BFP 460 H6327参考图片

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BFP 460 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6781
26.781
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.9379
2813.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP460
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
70 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
22 GHz
Pd-功率耗散
230 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP460H6327XTSA1 BFP46H6327XT SP000745276
单位重量
6.700 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 460 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA084007NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥768.40
参考库存:18047
AFT09MS007NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
参考库存:6512
MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:18052
PH2731-75L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,487.469
参考库存:18055
MMRF1024HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,167.3578
5:¥1,141.30
10:¥1,117.9429
25:¥1,101.4223
50:¥1,061.4655
参考库存:18058
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