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射频晶体管
BFU550WX参考图片

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BFU550WX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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库存：16,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4352
34.352
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT323-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067695115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
优势价格，BFU550WX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1007HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:16438
MRFE6VP61K25GNR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
150:¥1,033.5771
参考库存:16441
CGHV40100F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
1:¥2,507.4474
参考库存:3051
MAPR-002731-115M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:16446
AFM906NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥18.2834
10:¥16.7466
25:¥15.2098
100:¥13.7521
1,000:¥10.2943
参考库存:4852
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