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射频晶体管
MMRF1317HSR5参考图片

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MMRF1317HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13
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216446.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.2 dB
输出功率
1.3 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.02 GHz to 1.1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
869 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935323794178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MDS70
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100:¥125.0232
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1:¥877.3546
5:¥861.2182
10:¥822.414
25:¥795.068
100:¥740.2743
150:¥678.339
参考库存:15318
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