您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
MRFE6VP8600HR5参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRFE6VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,145.4519
2145.4519
5
¥2,097.5738
10487.869
10
¥2,054.6225
20546.225
25
¥2,024.3498
50608.745
50
¥1,950.8094
97540.47
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
18.8 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE6VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
15.6 S
Pd-功率耗散
1.52 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.07 V
零件号别名
935321656178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP8600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:17652
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:17655
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:17658
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch RF Amplifier 30Vdg -30Vgs 50mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:6214
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.6253
5:¥406.3254
10:¥390.4263
25:¥377.8268
600:¥311.6653
参考库存:17663
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82813018

手机:19129911934

传真:0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们