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射频晶体管
BF998E6327HTSA1参考图片

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BF998E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
998 BF BF998E6327XT E6327 SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BF998E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:7647
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
1:¥476.408
25:¥412.0206
100:¥356.3794
250:¥331.4064
参考库存:4094
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:17532
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:17535
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:17538
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