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射频晶体管

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AGR21045EF

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库存:17,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥457.198
457.198
5
¥419.5464
2097.732
10
¥376.516
3765.16
25
¥333.4856
8337.14
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,AGR21045EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
1:¥1,011.2935
10:¥889.2648
25:¥790.4576
50:¥709.075
参考库存:18473
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5472
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
50:¥540.8745
参考库存:5027
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:18480
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-28V-175MHz PP
50:¥1,916.932
参考库存:18483
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